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白条 DDR2
DDR2 1G 128MX8 FBGA
S-1162
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micron(镁光)
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2000

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H5TQ1G63EFR-PBC
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SK Hynix(海力士)
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SAMSUNG(三星)
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H5TQ2G63GFR-RDC
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SK Hynix(海力士)
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NT5CC128M16IP-DI
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SAMSUNG(三星)
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H5TQ4G63CFR-RDC
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白条 DDR3
H5TQ4G63EFR-RDC
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SK Hynix(海力士)
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K4B4G1646E-BCMA
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SAMSUNG(三星)
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封装: FBGA

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K4B4G1646E-BYK0
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SAMSUNG(三星)
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K4A8G085WB-BCRC
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SAMSUNG(三星)
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IC DDR2 SDRAM 1GBIT 2.5NS 60FBGA
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W971GG6KB-25 托盘
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512Mb Q-die DDR2 SDRAM
D-597
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SAMSUNG(三星)
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LPDDR3 16G 512MX32 FBGA DDP
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micron(镁光)
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1Mx16, 166Mhz,RoHS
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ISSI(美国芯成)
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1Mx16, 143Mhz,RoHS
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ISSI(美国芯成)
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ISSI(美国芯成)
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1Mx16, 143Mhz,RoHS
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ISSI(美国芯成)
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1Mx16, 166Mhz,RoHS
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ISSI(美国芯成)
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1Mx16 143MHz
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ISSI(美国芯成)
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1Mx16, 143Mhz,RoHS
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ISSI(美国芯成)
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1060

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1Mx16 143MHz
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ISSI(美国芯成)
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64M 4MX16 TSOP
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micron(镁光)
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1988

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DDR2 1G 64MX16 FBGA
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micron(镁光)
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237

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DDR2 512M 32MX16 FBGA
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5794

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Pseudo SRAM 64Mb
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ISSI(美国芯成)
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DDR2 1G 64MX16 FBGA
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1151

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512M 2.5V 200MHz 32Mx16 DDR1 A-Temp
小批
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3.3V
小批
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ISSI(美国芯成)
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5624

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